SiC CMPスラリーのグローバル分析レポート2025

SiC CMPスラリー世界総市場規模

シリコンカーバイド（SiC）は、ワイドバンドギャップ半導体であり、従来の半導体材料と比較して、より高温・高電力・高電圧環境下で動作可能な特性を有する。この特性により、パワーデバイス、LED照明、通信機器などにおけるエネルギー効率が向上する。特に、高い耐熱性と高い電子移動度を活かし、ハイブリッド電気自動車（HEV）、パワーエレクトロニクススイッチ、LED照明技術など、多岐にわたる分野で採用が進んでいる。これらの特性から、SiCは次世代半導体材料として注目されている。

本レポートでは、SiCウェハ加工におけるCMPスラリーについて分析する。CMP（化学機械研磨）プロセスは、SiCウェハの表面を高精度に平坦化するための重要な工程であり、その品質がデバイス性能に直結する。代表的な製品としては、エンテグリス（シンマット）のSiC CMPスラリー、サンゴバンのClasSiC 807及びClasSiC 102Vスラリー、フジミのCOMPOL及びDSCシリーズスラリーなどが挙げられる。これらのスラリーは、研磨速度、表面粗さ、選択比などの性能指標において優れた特性を発揮し、SiCウェハ製造プロセスにおいて重要な役割を果たしている。

シリコンカーバイド（SiC）CMPスラリーの発展特性は、材料固有の特性と半導体製造プロセスの高度化要求に深く根ざしている。SiCは高硬度・高耐熱性といった特徴を持つワイドバンドギャップ半導体であり、これがCMPプロセスにおいて極めて高い研磨精度と表面均一性を要求する。従来のシリコンベースのCMP技術では対応が難しいため、SiC特有の材料特性を考慮した専用スラリーの開発が進められている。特に、砥粒の選定と化学的研磨作用のバランスが重要であり、微細構造形成や表面欠陥低減が製品性能を左右する。また、SiCウェハの薄化や大口径化が進む中で、スラリーの化学的安定性や研磨後の清浄性が製造プロセスの信頼性に直結するようになっている。さらに、次世代パワーデバイスや5G通信デバイス向けに、より高精度なCMP技術が求められており、これがSiC CMPスラリーの技術革新を後押ししている。

SiC CMPスラリー市場の成長を支える要因としては、次世代パワーエレクトロニクスの普及が挙げられる。EVやハイブリッド車の急速な普及に伴い、高効率・高耐圧を実現するSiCデバイスの需要が高まっている。この市場拡大に伴い、SiCウェハの生産量が増加する一方で、製造コスト削減と製品品質向上の要求が強まっている。これにより、CMPプロセス全体の効率化とスラリーの高性能化が重要な課題となっており、特にスラリーの長寿命化や再利用技術の開発が進められている。また、環境規制の強化に伴い、化学物質の使用量削減や廃棄物処理の効率化が求められており、これが環境に配慮したスラリー設計を促進している。さらに、5G通信やAIハードウェアの普及により、高周波特性に優れたSiCデバイスの需要が拡大しており、これがCMPスラリー市場のさらなる成長を牽引している。このように、技術革新と市場ニーズの相互作用がSiC CMPスラリー市場の持続的な発展を支えていると言える。

• SiC CMPスラリー世界総市場規模

上記の図表／データは、QYResearchの最新レポート「2025～2031年のグローバルSiC CMPスラリー市場調査レポート」から引用されている。

QYResearch調査チームの最新レポートである「2025～2031年グローバルSiC CMPスラリー市場レポート」によると、2025年から2031年の予測期間中のCAGRが12.3%で、2031年までにグローバルSiC CMPスラリー市場規模は0.1億米ドルに達すると予測されている。

• 世界のSiC CMPスラリー市場におけるトップ8企業のランキングと市場シェア（2024年の調査データに基づく；最新のデータは、当社の最新調査データに基づいている）

上記の図表／データは、QYResearchの最新レポート「2025～2031年のグローバルSiC CMPスラリー市場調査レポート」から引用されている。ランキングは2023年のデータに基づいている。現在の最新データは、当社の最新調査データに基づいている。

QYResearchのトップ企業研究センターによると、SiC CMPスラリーの世界的な主要製造業者には、Entegris (Sinmat)、Fujimi Corporation、Saint-Gobainなどが含まれている。2024年、世界のトップ3企業は売上の観点から約71.0%の市場シェアを持っていた。

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